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第376章 0

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    不是我不一次性說完,而是我每說一句話,你都要打斷我發表一點兒什麼意見,利諾奇卡心想。

     “煤油?煤油的熱值是要比酒精高,啊哈,難道這就是原因?” 部長同志這才有些釋然。

     并不是他一定要找點什麼原因才能讓自己高興,而是這些情況單獨看起來都不算什麼,可是全部組合到一起,就多少有一些讓人驚訝了。

     更大的射程,更大的戰鬥部,同等的尺寸和重量,這說明對方一定有什麼自己不知道的技術。

     “部長同志,我們要不要試一試把P-15的酒精換成煤油?” P-15,就是544導彈。

     “噢,不!基層的達瓦裡氏們會抱怨的,至少現在的P-15不能換!他們已經習慣維護這種導彈了,不是麼?” 不得不說,作為部長,還是非常體恤一線基層的同志的。

     咱們正毛旗的兵,就愛維護酒精燃料! “利諾奇卡同志,如果那邊還有什麼新的消息,一定要早一點告訴我。

    順便告訴盧比揚卡的同志,他們需要付出更多努力了!”部長同志總是覺得其中有哪裡不對,但是又不知道哪裡不對。

     —— 老毛子的糾結,高振東并不知道,他正在糾結自己的事情。

     其實也不是糾結,隻是在繁雜的工藝中選出一條合适的路來。

     雖然已經選定了MOS技術,可是MOS技術也有PMOS(P溝道MOS)、NMOS(N溝道MOS)、CMOS(互補MOS)等等。

     這些技術的每一道工序,又有不同的選擇。

     就好像搭積木,要搭出一個公園來,有不同的搭法,正所謂殺豬殺屁股,各有各的殺法。

     不過在MOS的種類上,高振東倒是沒什麼好糾結的,PMOS直接上就行了,作為最早的MOS技術,自然是有他的優點的。

     猜猜它為什麼最早?簡單啊! PMOS隻需要五次光刻就能搞定。

     P區光刻、栅光刻、接觸光刻、金屬光刻、壓焊塊光刻,并在每次光刻中間加上不同的澱積或者氧化工序。

     分别形成P區、栅極、對外接觸孔、芯片内布線和封裝時用的引出焊點。

     而且,其中掩膜需要嚴格對準套刻的,隻有第二次栅光刻,其他時候的對準要求都不是那麼高,這就讓手上的技術條件有限,捉襟見肘的高振東感到很舒服。

     抛開封裝,隻是從矽片到布滿成品芯片核心(DIE)的半成品,隻需要12步工藝,就這,還包括準備矽片那一步工藝。

     甚至不想要鈍化那一步的話,隻要前4次光刻就足夠了,與之相應的工藝也減少到了10步。

     這是真的簡單,而且對材料的要求也不高。

     隻需要考慮引入三種元素。

     ——形成氧化保護層的氧、形成栅極的硼、還有形成金屬導線的鋁。

     其中鋁都不用考慮摻雜擴散的問題,隻是用于沉積。

     某退休老頭:真是太好玩兒了.jpg。

     而NMOS和CMOS的難度,可就比PMOS大多了,PMOS别的不說,至少做邏輯集成電路沒問題,而且,這玩意10μm的制程是能做C8008的,其實做更高的制程也沒問題。

     選定了PMOS,高振東很快就把工藝路線給确定下來了。

     不要最後一步鈍化,4次光刻,隻到金屬光刻完成為止。

     至于為什麼選這個,當然是因為簡單了,而且他一開始是做比較粗的制程的,這個程度也就夠了。

     而且,少這一步,成本也會下降。

     先把邏輯門電路拿出來,支撐住DJS-60D的生産,然後再去搞更好的。

     先解決有沒有,再解決好不好。

     選定了這些,抄起書來,那就快了,高振東花了一個下午飛快的把書抄完,第二天一個電話打給了已經有點兒望眼欲穿的1274廠。

     一個多小時過後,呂廠長和魯總工帶着人聯袂而至,就等着這一天呢。

     看着高振東給出的工藝設計指導文件,兩人有點懵,這玩意比起原來的,怎麼還變薄了? 先進技術,必定複雜,一旦複雜,那資料就會很厚,大家都這麼想。

     “高總工,這工藝是先一部分一部分的做,這裡是前期我們要做的事情?”魯總工問道。

     高振東一頭霧水,我什麼時候說過一部分一部分做了:“沒有啊,這裡就是全部了。

    ” “全部?”兩人大驚失色,這怎麼可能? 高振東笑着把工藝的簡單概況給他們解釋了一遍,兩人陷入了“我不懂,但我大受震撼”的狀态之中。

     高振東隻好解釋了一下:“PMOS技術雖然
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